電子混合氣體廣泛用于大規模集成電路超大規模集成電路和半導體器件生產中，主要用于氣相外延（生成）、化學氣相淀積、摻雜（雜質擴散）、各類蝕刻和離子注入等工藝中。下面介紹幾種常見的電子混合氣體。

        1、外延生長混合氣體：外延生長是一種單晶材料淀積并生產在襯底表面上的過程，在半導體工業中，在仔細選擇的襯底上選用化學氣相淀積的方法，生長一層或多層材料所用的氣體叫作外延氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀積，多晶硅淀積，氧化硅膜淀積，氮化硅膜淀積，太陽能電池和其他光感器的非晶硅膜淀積等。

        2、蝕刻混合氣體：蝕刻就是將基片上無光刻膠掩蔽的加工表面（如金屬膜、氧化硅膜等）蝕刻掉，而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來，以便在基片表面上獲得所需要的成像圖形。蝕刻方式有濕法化學蝕刻和干法化學蝕刻。干法化學蝕刻所用氣體稱為蝕刻氣體。蝕刻氣體通常多為氟化物氣體（鹵化物類），例如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。

        3、摻雜混合氣體：在半導體器件和集成電路制造中，將某些雜質摻入半導體材料內，使材料具有所需要的導電類型和一定的電阻率，以制造電阻、PN結、埋層等。摻雜工藝所用的氣體稱為摻雜氣。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼和乙硼烷等。通常將摻雜源與運載氣體（如氬氣和氮氣）在源柜中混合，混合后氣流連續注入擴散爐內并環繞晶片四周，在晶片表面沉積上摻雜劑，進而與硅反應生成摻雜金屬而徙動進入硅。

        4、化學氣相淀積混合氣體：化學氣相淀積混合氣體（CVD）是利用揮發性化合物，通過氣相化學反應淀積某種單質或化合物的一種方法，即應用氣相化學反應的一種成膜方法。依據成膜種類，使用的化學氣相淀積（CVD）氣體也不相同。

        5、離子注入氣體：在半導體器件和集成電路制造中，離子注入工藝所用的氣體統稱為離子注入氣，它是把離子化的雜質（如硼、磷、砷等離子）加速到高能級狀態，然后注入到預定的襯底上。離子注入技術在控制閥值電壓方面應用得最為廣泛。注入的雜質量可以通過測量離子束電流而求得。離子注入氣體通常指磷系、砷系和硼系氣體。